システム移行に伴い、下記期間、JEITA規格の販売を停止いたします。
【停止期間】 2026年3月14日（土）～3月31日（火）
【販売再開】 2026年4月1日（水）より、JSAホームページにて販売開始（印刷物・電子版）
※2026年3月13日（金）はJEITAでの販売最終日です。
※ご参考：JEITA規格販売に関するお知らせ（2025年10月）
- JEITA規格について
- 日本語
- 英語
- 日英併記
電子デバイス部門
半導体<半導体信頼性>関係
（各規格の概要） 関連セミナーの開催についてはこちら
| 番号 | 名称 | 制定 改正 |
スタビライズド規格 (移行年月) |
旧規格備考 |
|---|---|---|---|---|
| ED-4701/001B | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（基本事項） | 2001.08 2013.10 2023.03 |
ED-4701/001 ED-4701/001A |
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| ED-4701/002 | 併寿命試験の試験時間，試験個数の決定手順 | 2016.03 | 「寿命試験の試験時間･個数の計算ツール」 が附属 | |
| ED-4701/100B | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (寿命試験 I) | 2001.08 2013.08 2023.03 |
ED-4701/100 ED-4701/100A |
|
| ED-4701/200B | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (寿命試験II) | 2001.08 2013.10 2023.03 |
ED-4701/200 ED-4701/200A |
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| ED-4701/301A | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験I-1) | 2013.11 2016.07 |
ED-4701/301 はんだ耐熱性試験の加湿方法3（JEDEC同等条件）に対するリフロープロファイルの運用を厳格化した（JEDECとの整合) |
|
| ED-4701/302B | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験I-2) | 2013.10 2020.09 2025.02 |
ED-4701/302 ED-4701/302A |
|
| ED-4701/400B | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (強度試験II) | 2001.08 2013.11 2023.03 |
ED-4701/400 ED-4701/400A |
|
| ED-4701/500B | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (その他の試験) | 2001.08 2013.10 2023.03 |
ED-4701/500 ED-4701/500A |
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| ED-4701/600 | 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(個別半導体特有の試験) | 2013.12 | ||
| ED-4702C | 併表面実装半導体デバイスの機械的強度試験方法 | 1992.10
2003.12 2009.07 2015.03 |
ED-4702
ED-4702A ED-4702B |
|
| ED-4703 | 日半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法 | 1994.06 | ||
| ED-4703-1 | 日半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法（追補1） | 1995.03 | ||
| ED-4704A | 併半導体デバイスのウエハープロセスの信頼性試験方法 | 2000.05 2011.07 |
ED-4704
ED-4704-1 |
|
| ED-4705 | 併FLASHメモリの信頼性試験方法 | 2009.03 | ||
| EDR-4701C | 併半導体デバイスの取扱いガイド | 1989.07
1993.02 1996.03 2010.07 |
EDR-4701A
EDR-4701B |
|
| EDR-4702 | 日半導体デバイスの品質・信頼性試験方法規格対照表 | 1996.03 | ||
| EDR-4703A | 併ベアダイの品質ガイドライン | 1999.05 2008.03 |
EDR-4703 |
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| EDR-4704B | 併半導体デバイスの加速寿命試験運用ガイドライン | 2000.05 2007.03 2020.10 |
EDR-4704A |
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| EDR-4705B | 日ソフトエラー試験ガイドライン (SEB:シングルイベントバーンアウトの最新情報に関しては、EDR-4714中性子SEB試験ガイドラインを参照願います) |
2005.06 2015.07 2023.07 |
EDR-4705 EDR-4705A |
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| EDR-4706 | 併FLASHメモリの信頼性ガイドライン | 2006.01 | ||
| EDR-4707A | 併LSIの故障メカニズム及び試験方法に関する調査報告 | 2008.03 2018.02 |
EDR-4707 |
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| EDR-4708C | 英Guideline for IC Reliability Qualification Plan | 2023.06 | [CORRIGENDA] JEITA EDR-4708C | |
| EDR-4708C | 日半導体集積回路 信頼性認定ガイドライン | 2011.04 2013.10 2017.01 2022.10 |
EDR-4708 EDR-4708A EDR-4708B [訂正票] JEITA EDR-4708C |
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| EDR-4709A | 併システムレベルESDに対応した半導体のESD試験方法検討とシステムへの半導体部品実装方法,取り扱いガイドライン | 2012.07 2019.11 |
EDR-4709 |
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| EDR-4710 | 併半導体取り扱いとESD耐量適正化のガイドライン | 2015.02 | ||
| EDR-4711A | 英個別半導体信頼性認定ガイドライン（英文） | 2023.03 | ||
| EDR-4711A | 日個別半導体信頼性認定ガイドライン | 2016.02 2017.03 |
EDR-4711 |
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| EDR-4712/100 | 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 1：結晶欠陥の分類) | 2016.03 | ||
| EDR-4712/200 | 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 2：光学検査手法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法) | 2017.02 | ||
| EDR-4712/400 | 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 4：光学検査手法とフォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別) | 2020.12 | ||
| EDR-4712/500 | 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 （Part 5 :X線トポグラフ法による SiCエピタキシャル層欠陥の検査方法） | 2023.04 | ||
| EDR-4713 | 日化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン | 2017.06 | ||
| EDR-4713-1 | 英化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン 追補1 | 2023.11 | ||
| EDR-4713-1 | 日化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン 追補1 | 2023.08 | ||
| EDR-4714 | 日中性子SEB試験ガイドライン | 2022.04 | ||
| EDR-4715 | 英半導体故障解析手順と用語集(第1版)(英語版) | 2022.08 | ||
| EDR-4715 | 日半導体故障解析手順と用語集(第1版) | 2020.06 | ||
| EDR-4715-1 | 日半導体故障解析手順と用語集 (第1 版) 追補版 | 2025.01 | ||
| EDR-4716 | 併自動車用半導体デバイスの信頼性試験における兆候精査活用ガイドライン | 2022.04 | ||
| EDR-4717 | 日半導体デバイス信頼性用語集 | 2023.07 | ||
| EDR4712-300 | 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 3：フォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法) | 2018.03 |
