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電子デバイス部門
半導体<半導体信頼性>関係

  （各規格の概要）
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番号 名称 制定
改正		 スタビライズド規格
(移行年月)		 旧規格備考 価格
ED-4701/001B 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（基本事項） 2001.08
2013.10
2023.03 		   ED-4701/001
ED-4701/001A
 		 ￥3,872
ED-4701/002 併寿命試験の試験時間，試験個数の決定手順 2016.03     「寿命試験の試験時間･個数の計算ツール」 が附属 ￥5,060
ED-4701/100B 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (寿命試験 I) 2001.08
2013.08
2023.03 		   ED-4701/100
ED-4701/100A
 		 ￥5,867
ED-4701/200B 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (寿命試験II) 2001.08
2013.10
2023.03 		   ED-4701/200
ED-4701/200A
 		 ￥5,170
ED-4701/301A 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験I-1) 2013.11
2016.07 		   ED-4701/301
 はんだ耐熱性試験の加湿方法3（JEDEC同等条件）に対するリフロープロファイルの運用を厳格化した（JEDECとの整合)		 ￥11,660
ED-4701/302A 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験I-2) 2013.10
2020.09 		   ED-4701/302
 ESD/CDM(校正時のピーク電流をJEDECと整合)、ラッチアップ(一部表記の修正)を改正		 ￥20,086
ED-4701/400B 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (強度試験II) 2001.08
2013.11
2023.03 		   ED-4701/400
ED-4701/400A
 		 ￥8,228
ED-4701/500B 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法 (その他の試験) 2001.08
2013.10
2023.03 		   ED-4701/500
ED-4701/500A
 		 ￥6,050
ED-4701/600 併半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(個別半導体特有の試験) 2013.12      ￥4,191
ED-4702C 併表面実装半導体デバイスの機械的強度試験方法 1992.10
2003.12
2009.07
2015.03 		   ED-4702
ED-4702A
ED-4702B
 		 ￥14,960
ED-4703 日半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法 1994.06      ￥3,982
ED-4703-1 日半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法（追補1） 1995.03      ￥3,352
ED-4704A 併半導体デバイスのウエハープロセスの信頼性試験方法 2000.05
2011.07 		   ED-4704
ED-4704-1
 		 ￥19,905
ED-4705 併FLASHメモリの信頼性試験方法 2009.03      ￥4,191
EDR-4701C 併半導体デバイスの取扱いガイド 1989.07
1993.02
1996.03
2010.07 		   EDR-4701A
EDR-4701B
 		 ￥15,714
EDR-4702 日半導体デバイスの品質・信頼性試験方法規格対照表 1996.03      ￥14,038
EDR-4703A 併ベアダイの品質ガイドライン 1999.05
2008.03 		   EDR-4703
 		 ￥3,352
EDR-4704B 併半導体デバイスの加速寿命試験運用ガイドライン 2000.05
2007.03
2020.10 		   EDR-4704A
 		 ￥14,300
EDR-4705B 日ソフトエラー試験ガイドライン
(SEB:シングルイベントバーンアウトの最新情報に関しては、EDR-4714中性子SEB試験ガイドラインを参照願います)		 2005.06
2015.07
2023.07 		   EDR-4705
EDR-4705A
 		 ￥5,500
EDR-4706 併FLASHメモリの信頼性ガイドライン 2006.01      ￥3,771
EDR-4707A 併LSIの故障メカニズム及び試験方法に関する調査報告 2008.03
2018.02 		   EDR-4707
 		 ￥12,362
EDR-4708C 英Guideline for IC Reliability Qualification Plan 2023.06     [CORRIGENDA] JEITA EDR-4708C ￥8,349
EDR-4708C 日半導体集積回路　信頼性認定ガイドライン 2011.04
2013.10
2017.01
2022.10 		   EDR-4708
EDR-4708A
EDR-4708B
 [訂正票] JEITA EDR-4708C		 ￥6,710
EDR-4709A 併システムレベルESDに対応した半導体のESD試験方法検討とシステムへの半導体部品実装方法,取り扱いガイドライン 2012.07
2019.11 		   EDR-4709
 		 ￥15,125
EDR-4710 併半導体取り扱いとESD耐量適正化のガイドライン 2015.02      ￥12,100
EDR-4711A 英個別半導体信頼性認定ガイドライン（英文） 2023.03      ￥0
EDR-4711A 日個別半導体信頼性認定ガイドライン 2016.02
2017.03 		   EDR-4711
 		 ￥8,360
EDR-4712/100 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 1：結晶欠陥の分類) 2016.03      ￥4,400
EDR-4712/200 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 2：光学検査手法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法) 2017.02      ￥5,280
EDR-4712/400 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 4：光学検査手法とフォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥クラス識別) 2021.01      ￥5,940
EDR-4712/500 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 （Part 5 :X線トポグラフ法による SiCエピタキシャル層欠陥の検査方法） 2023.04      ￥5,808
EDR-4713 日化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン 2017.06      ￥5,720
EDR-4713-1 英化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン 追補1 2023.11      ￥0
EDR-4713-1 日化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン 追補1 2023.08      ￥3,080
EDR-4714 日中性子SEB試験ガイドライン 2022.04      ￥3,850
EDR-4715 英半導体故障解析手順と用語集(第1版)(英語版) 2022.08      ￥0
EDR-4715 日半導体故障解析手順と用語集(第1版) 2020.06      ￥7,150
EDR-4716 併自動車用半導体デバイスの信頼性試験における兆候精査活用ガイドライン 2022.05      ￥3,520
EDR-4717 日半導体デバイス信頼性用語集 2023.07      ￥7,502
EDR4712-300 併SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 3：フォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法) 2018.03      ￥5,390

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