JEITA規格
JEITA STANDARD

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電子デバイス部門 半導体<半導体信頼性>関係

  (各規格の概要)
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番号 名称 制定
改正
スタビライズド規格
(移行年月)
旧規格備考 価格
ED-4701/001A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(基本事項) 2001.08
2013.10
ED-4701/001
¥3,352
ED-4701/002 寿命試験の試験時間,試験個数の決定手順 2016.03 「寿命試験の試験時間・個数の計算ツール」 が附属 ¥5,060
ED-4701/100A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(寿命試験I) 2001.08
2013.08
ED-4701/100
¥5,867
ED-4701/200A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(寿命試験II) 2001.08
2013.10
ED-4701/200
¥3,982
ED-4701/301A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験I-1) 2013.11
2016.07
ED-4701/301
はんだ耐熱性試験の加湿方法3(JEDEC同等条件)に対するリフロープロファイルの運用を厳格化した(JEDECとの整合)
¥11,660
ED-4701/302 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験I-2) 2013.10 ESD/HBM、ESD/CDM、ラッチアップ、熱衝撃を改正して新制定 ¥17,182
ED-4701/400A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(強度試験II) 2001.08
2013.11
ED-4701/400
¥5,657
ED-4701/500A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(その他の試験) 2001.08
2013.10
ED-4701/500
¥4,819
ED-4701/600 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(個別半導体特有の試験) 2013.12 ¥4,191
ED-4702C 表面実装半導体デバイスの機械的強度試験方法 1992.10
2003.12
2009.07
2015.03
ED-4702
ED-4702A
ED-4702B
¥14,960
ED-4703 半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法 1994.06 ¥3,982
ED-4703-1 半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法(追補1) 1995.03 ¥3,352
ED-4704A 半導体デバイスのウエハープロセスの信頼性試験方法 2000.05
2011.07
ED-4704
ED-4704-1
¥19,905
ED-4705 FLASHメモリの信頼性試験方法 2009.03 ¥4,191
EDR-4701C 半導体デバイスの取扱いガイド 1989.07
1993.02
1996.03
2010.07
EDR-4701A
EDR-4701B
¥15,714
EDR-4702 半導体デバイスの品質・信頼性試験方法規格対照表 1996.03 ¥14,038
EDR-4703A ベアダイの品質ガイドライン 1999.05
2008.03
EDR-4703
¥3,352
EDR-4704A 半導体デバイスの加速寿命試験運用ガイドライン 2000.05
2007.03
¥13,200
EDR-4705A JEITA ソフトエラー試験ガイドライン 2005.06
2015.07
EDR-4705
¥5,830
EDR-4706 FLASHメモリの信頼性ガイドライン 2006.01 ¥3,771
EDR-4707A LSIの故障メカニズム及び試験方法に関する調査報告 2008.03
2018.02
EDR-4707
¥12,362
EDR-4708B 半導体集積回路 信頼性認定ガイドライン 2011.04
2013.10
2017.01
EDR-4708
EDR-4708A
¥10,120
EDR-4709A システムレベルESDに対応した半導体のESD試験方法検討とシステムへの半導体部品実装方法,取り扱いガイドライン 2012.07
2019.11
EDR-4709
¥15,125
EDR-4710 半導体取り扱いとESD耐量適正化のガイドライン 2015.02 ¥12,100
EDR-4711A 個別半導体信頼性認定ガイドライン 2016.02
2017.03
EDR-4711
¥8,360
EDR-4712/100 SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法 (Part 1:結晶欠陥の分類) 2016.03 ¥4,400
EDR-4712/200 SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 2:光学検査手法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法) 2017.02 ¥5,280
EDR-4713 化合物パワー半導体信頼性試験方法ガイドライン 2017.06 ¥5,720
EDR4712-300 SiCウェーハの結晶欠陥の非破壊検査方法(Part 3:フォトルミネッセンス法によるSiCエピタキシャル層欠陥の検査方法) 2018.03 ¥5,390