| JEITA ED4701/001A(2001.8制定、2013.10改正) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（基本事項） | 3,291円 |
| 個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法の基本事項について規定している。(バイリンガル版) |
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| JEITA ED4701/100A(2001.8制定、2013.8改正) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（寿命試験Ⅰ） | 5,760円 |
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に寿命試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法101A | | 動作寿命試験 |
| 試験方法102A | | 高温高湿バイアス試験 |
| 試験方法103A | | 高温高湿保存試験 |
| 試験方法104A | | 加湿＋実装ストレスシリーズ試験 |
| 試験方法105A | | 温度サイクル試験 |
| 試験方法106A | | 断続動作試験 |
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| JEITA ED4701/200A(2001.8制定、2013.10改正) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（寿命試験Ⅱ） | 3,909円 |
半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（寿命試験Ⅱ） 3,909円
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に寿命試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法201A | | 高温保存試験 |
| 試験方法202A | | 低温保存試験（参考試験） |
| 試験方法203A | | 温湿度サイクル試験（参考試験） |
| 試験方法204A | | 塩水噴霧試験 |
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| JEITA ED4701/301(20013.11制定) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（強度試験Ⅰ-1） | 10,697円 |
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に強度試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法301C | | はんだ耐熱性試験(SMD) |
| 試験方法302A | | はんだ耐熱性試験(SMD以外) |
| 試験方法303A | | はんだ付け性試験 |
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| JEITA ED4701/302(20013.10制定) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（強度試験Ⅰ-2） | 16,869円 |
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に強度試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法304A | | 人体モデル静電破壊試験(HBM/ESD) |
| 試験方法305C | | デバイス帯電モデル静電破壊試験(CDM/ESD) |
| 試験方法306B | | ラッチアップ試験 |
| 試験方法307B | | 熱衝撃試験（参考試験） |
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| JEITA ED4701/400A(2001.8制定、2013,11改正) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（強度試験Ⅱ） | 5,554円 |
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に強度試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法401A | | 端子強度試験 |
| 試験方法402 | | 締め付け強度試験 |
| 試験方法403A | | 振動試験 |
| 試験方法404A | | 衝撃試験 |
| 試験方法405A | | 定加速度試験 |
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| JEITA ED4701/500A(2001.8制定、2013,10改正) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（その他の試験） | 4,731円 |
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に寿命試験、強度試験のどちらにも属さない試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法501A | | 捺印の耐溶剤性試験 |
| 試験方法502A | | プラスチック封止デバイスの耐火性試験（外部誘因） |
| 試験方法503 | | 気密性試験 |
| 試験方法504A | | 減圧試験 |
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| JEITA ED4701/600(2001.8制定、2013,10改正) |
| 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法（個別半導体特有の試験） | 4,114円 |
個別半導体及び集積回路の使用中、貯蔵中及び輸送中における各種環境状態での耐性及び耐久性を評価するための環境及び耐久性試験方法、特に個別半導体特有の試験について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法601 | | パワーサイクル試験（樹脂封止タイプ） |
| 試験方法602 | | パワーサイクル試験（ケースタイプ／短時間） |
| 試験方法603 | | パワーサイクル試験（ケースタイプ／長時間） |
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| JEITA ED4702B(1992.10制定、2009.07改正) |
| 表面実装半導体デバイスの機械的強度試験方法 | 12,754円 |
表面実装半導体デバイスの実装基板への実装工程中又は実装後に受ける機械的ストレス及び熱応力ストレスに対する耐性を評価するための評価基板のデザインガイド、SMDの標準実装プロセス、ひずみゲージの取り付け方法の一例、実装後の機械的強度試験方法について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| 試験方法001 | | 実装後の温度サイクル試験 |
| 試験方法002 | | はんだ接続強度試験
方法：引きはがし強度試験
方法：実装後のリード引張り強度試験
方法：固着性強度試験 |
| 試験方法003 | | 実装後の基板曲げ試験 |
| 試験方法004 | | 実装後の基板繰返し曲げ試験 |
| 試験方法004 | | 実装後の落下試験 |
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| EIAJ ED4703(1994.6制定) |
| 半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法 | 3,909円 |
| 半導体デバイスの工程内の半製品の評価及び構造解析を通じて工程の適合性を確認するための標準的な方法〔外部目視、内部目視、ダイボンド強度（ダイシェア）、ワイヤボンド強度（ワイヤプル）、ワイヤボンド強度（ボールシェア）〕について規定している。 |
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| EIAJ ED4703-1(1995.3制定) |
| 半導体デバイスの工程内評価及び構造解析方法（追補１） | 3,291円 |
| ED-4703に４方法（Ｘ線透視、金属配線のＳＥＭ検査、超音波探傷検査、パッシベーションの完全性）を追加して規定している。 |
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| JEITA ED4704A(2000.5制定、2011.7改正) |
| ＬＳＩ半導体デバイスのウェハプロセスの信頼性試験方法 | 19,543円 |
ＬＳＩの故障メカニズムに基づいたウェハプロセスの故障メカニズム毎の信頼性試験方法について規定している。規定されている試験方法は、下記のとおり。(バイリンガル版)
| A-101 | | MOSFETのホットキャリア注入試験 (HCI) |
| A-102 | | MOSFETのバイアス・温度不安定性試験 (BTI) |
| A-103 | | MOSFETのFast BTI試験 |
| A-104 | | 絶縁膜の経時絶縁破壊試験 (TDDB) |
| B-101 | | 定電流エレクトロマイグレーション試験 |
| B-102 | | 銅配線のストレスマイグレーション試験 |
| B-103 | | 多層配線間のTDDB試験 |
| C-101 | | ウェハプロセスの信頼性試験の一般的事項 |
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| JEITA ED4705(2009.3制定) |
| Flashメモリの信頼性試験方法 | 4,114円 |
| Flashメモリ及びFlashメモリを混載する半導体デバイスの信頼性試験方法及び試験実施時の注意事項について規定している。(バイリンガル版) |
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| JEITA EDR4701C(1989.7制定、2010.7改正) |
| 半導体デバイスの取扱いガイド | 15,428円 |
| 半導体デバイスを運搬、保存、実装、稼働するにあたり、必要となる取り扱い条件、注意事項、故障の事例などを総合的にまとめ、案内しているもの。(バイリンガル版) |
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| JEITA EDR4703A(1999.5制定、2008.3改正) |
| ベアダイの品質保証ガイドライン | 3,291円 |
| 半導体メーカ・ユーザがベアダイの品質保証に対して共通の認識が得られることを目的に、ベアダイの品質レベル分類・ベアダイに関する情報の提示・出荷・保証期限・不良品の扱いなどについて記載している。(バイリンガル版) |
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| JEITA EDR4704A(2000.5制定、2007.3改正) |
| 半導体デバイスの加速寿命試験運用ガイドライン | 12,960円 |
| 半導体デバイスに特有な信頼性に対する考え方を解説し、半導体デバイスの用途にふさわしい適正な信頼性設計・評価に対する理解を深めることを目的としてまとめた、ガイドラインである。(バイリンガル版) |
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| EIAJ EDR4705(2005.6制定) |
| JEITA ソフトエラー試験ガイドライン | 7,406円 |
| SRAM, DRAMのような半導体メモリに適用し、宇宙線や半導体デバイス材料からの放射線により引き起こされるソフトエラーの予測（シミュレーション）及び試験、施設についてガイドしたもの。 (バイリンガル版) |
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| EIAJ EDR4706(2006.1制定) |
| FLASHメモリの信頼性ガイドライン | 3,703円 |
| Flashメモリは電気的にデータを書換えする不揮発性メモリとして普及している。しかしながら、書き換えにより酸化膜等が劣化し、データ保持性能が低下する問題がある。Flashメモリの書換え回数の保証値とデータ保持、ディスターブ耐性の保証値の関係を明示し、信頼性表示を統一した考え方で行えるようにガイドしたもの。 (バイリンガル版) |
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| JEITA EDR4707(2008.3制定) |
| LSIの故障メカニズム及び試験方法に関する調査報告 | 12,138円 |
| LSIのウェハプロセスにおける素子の信頼性に関する故障メカニズムなどの学会情報などを調査し、実際の評価に活用できるように寿命モデル、活性化エネルギーを整理。TEG評価から規模の大きい製品評価を行うための換算方法などもガイドしたもの。 (バイリンガル版) |
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| JEITA EDR4708A(2011.4制定、2013.10改正) |
| 半導体集積回路 信頼性認定ガイドライン | 7,818円 |
| 半導体デバイスの信頼性認定試験の計画立案に際し、必要とする試験、試験条件、サンプル数、試験時間を従来の画一的な数値表から機械的に選ぶのではなく、フレキシブルな条件による実施を目指したもの。車載A、車載B、一般用途の信頼性要求例を参考に、デバイスの稼働条件、要求耐久寿命、要求初期故障率から試験の加速性、ワイブル関数等の故障分布、抜き取り確率論などを駆使して計算により試験計画を立案できるようにガイドしたもの。 (バイリンガル版) |
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| JEITA EDR4709(2012.7制定) |
システムレベルESDに対応した半導体のESD試験方法検討とシステムへの半導体部品実施方法,
取り扱いガイドライン | 11,726円 |
| 半導体部品に対しシステムレベルESD試験規格（IEC 61000-4-2）の適用を要求する例が増えている。半導体部品にはED-4701/302等に規定された半導体用のESD試験があり、その間には異なる目的、誤解なども存在する。そこに顕在化している問題点を整理し、互いに有益な考え方を示したもの。 (バイリンガル版) |
