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電子デバイス部門
半導体<個別半導体>関係
JEITA規格について
日本語
英語
日英併記
スタビライズド規格
購入
番号
名称
制定・改正
年月
頒価
（円）
旧規格
備考
スタビライズド規格
(移行年月)
ED-4002A
個別半導体デバイス用語
1993.11
2006.01
\2,982
ED-4002
ED-4359
マイクロ波半導体デバイスの特性及び測定方法
2005.12
\8,229
CD-ROMのみ
ED-4511B
ダイオードの定格・特性及び試験方法
1991.11
2002.03
2013.03
\5,142
ED-4511
ED-4511A
ED-4521
3端子サイリスタの定格・特性及び試験方法
1994.01
\4,937
SD-11
SD-21
ED-4522
ターンオフサイリスタの定格・特性及び試験方法
1995.01
\4,937
ED-4541A
パワートランジスタの定格・特性及び試験方法
1989.05
1999.08
\10,285
ED-4541
2015.06
ED-4561B
電界効果パワートランジスタの定格・特性及び試験方法
1989.03
1999.08
2018.02
\9,828
ED-4561
ED-4561A
ED-4562B
絶縁ゲートバイポーラトランジスタの定格・特性及び試験方法
1990.03
2000.05
2016.03
\15,768
ED-4562
ED-4562A
ED-4912A
発光ダイオード
2008.03
2018.03
\8,748
ED-4912
EDR-4101
リードレス形シリコンダイオード
2011.06
\4,835
ED-4131
ED-4132
ED-4133
ED-4134
EDR-4102
小信号ダイオード,小信号トランジスタ及び個別半導体デバイスの形名
2011.06
\5,040
ED-4001A
ED-4121
ED-4122
EDR-4901
LED及びフォトカプラ用語
2015.03
\3,456
