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電子デバイス部門 半導体<個別半導体>関係

番号 名称 制定
改正		 スタビライズド規格
(移行年月)		 旧規格備考 価格
ED-4002A 日個別半導体デバイス用語 1993.11
2006.01 		   ED-4002
 		 ￥3,038
ED-4359 併マイクロ波半導体デバイスの特性及び測定方法 2005.12     CD-ROMのみ ￥8,382
ED-4511B 日ダイオードの定格・特性及び試験方法 1991.11
2002.03
2013.03 		   ED-4511
ED-4511A
 		 ￥5,238
ED-4521 日3端子サイリスタの定格・特性及び試験方法 1994.01  2019.01  SD-11
SD-21
 		 ￥5,029
ED-4522 日ターンオフサイリスタの定格・特性及び試験方法 1995.01  2019.01    ￥5,029
ED-4541A 併パワートランジスタの定格・特性及び試験方法 1989.05
1999.08 		 2015.06  ED-4541
 		 ￥10,476
ED-4561B 併電界効果パワートランジスタの定格・特性及び試験方法 1989.03
1999.08
2018.02 		   ED-4561
ED-4561A
 		 ￥10,010
ED-4562B 併絶縁ゲートバイポーラトランジスタの定格・特性及び試験方法 1990.03
2000.05
2016.03 		   ED-4562
ED-4562A
 		 ￥16,060
ED-4912A 日発光ダイオード 2008.03
2018.03 		   ED-4912
 		 ￥8,910
EDR-4101 日リードレス形シリコンダイオード 2011.06    ED-4131
ED-4132
ED-4133
ED-4134
 		 ￥4,924
EDR-4102 日小信号ダイオード,小信号トランジスタ及び個別半導体デバイスの形名 2011.06    ED-4001A
ED-4121
ED-4122
 		 ￥5,133
EDR-4901 日LED及びフォトカプラ用語 2015.03      ￥3,520