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電子デバイス部門
半導体<個別半導体>関係
| 番号 | 名称 | 制定 改正 |
スタビライズド規格 (移行年月) |
旧規格備考 | 購入サイトへ |
|---|---|---|---|---|---|
| ED-4002A | 日個別半導体デバイス用語 | 1993.11 2006.01 |
ED-4002 |
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| ED-4359A | 日マイクロ波半導体デバイスの特性及び測定方法 | 2005.12 2025.10 |
ED-4359 |
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| ED-4511C | 日ダイオードの定格・特性及び試験方法 | 1991.11 2002.03 2013.03 2021.05 |
ED-4511 ED-4511A ED-4511B |
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| ED-4521 | 日3端子サイリスタの定格・特性及び試験方法 | 1994.01 | 2019.01 | SD-11 SD-21 |
|
| ED-4522 | 日ターンオフサイリスタの定格・特性及び試験方法 | 1995.01 | 2019.01 | ||
| ED-4541A | 併パワートランジスタの定格・特性及び試験方法 | 1989.05 1999.08 |
2015.06 | ED-4541 |
|
| ED-4561B | 併電界効果パワートランジスタの定格・特性及び試験方法 | 1989.03 1999.08 2018.02 |
ED-4561 ED-4561A |
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| ED-4562B | 併絶縁ゲートバイポーラトランジスタの定格・特性及び試験方法 | 1990.03
2000.05 2016.03 |
ED-4562
ED-4562A |
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| ED-4912B | 日発光ダイオード | 2008.03 2018.03 2024.03 |
ED-4912 ED-4912A |
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| EDR-4101 | 日リードレス形シリコンダイオード | 2011.06 | ED-4131
ED-4132 ED-4133 ED-4134 |
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| EDR-4102 | 日小信号ダイオード,小信号トランジスタ及び個別半導体デバイスの形名 | 2011.06 | ED-4001A
ED-4121 ED-4122 |
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| EDR-4901 | 日LED及びフォトカプラ用語 | 2015.03 |
