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第2次SNCCの検討結果（概要）
１．産学官・他業界連携による技術基盤の強化
- プロセス技術開発においては、株式会社半導体先端テクノロジーズ（Selete）のモジュール開発機能と、「半導体MIRAIプロジェクト」の要素技術開発機能とを有機的に結合させた「つくばR&Dセンター」を産学官連携の拠点として構築する。装置・材料メーカにも参画を求め、45nm以降の先端プロセス技術開発の実用化へのスピード加速と、更なる技術限界への挑戦及び技術候補の早期絞込みを行う。
設計技術開発においては、株式会社半導体理工学センター（STARC）を産学官連携の拠点とし、SoC設計開発に一貫して対応でき、日本の強み技術を活かした業界標準となるSoC設計メソドロジーの開発を行う。大学との共同研究では、課題提示型の共同研究を新たに推進し、産学連携の一層の強化を行う。また半導体を使う応用製品業界との連携により、新市場創出を支援する。
これら産学官・他業界との連携の強化により、従来半導体メーカに偏りがちであった基盤技術の研究開発をより多面的に行うことが可能となり、日本は半導体の先端技術基盤の構築において優位性を確保することができる。
- ２．コンソーシアム運営の構造的な見直し
- 先端技術開発のスピードアップを目的とする先行企業が主導する「先端コアプログラム」と、企業ニーズの多様化への対応を目的とする有志企業による「選択プログラム」を、コンソーシアムのプログラムの運営に新たに導入する。それにより従来のコンセンサス方式でのコンソーシアムではカバーしきれない新たな分野に対しても巾広く対応できるようになり、各社のニーズにより見合った効率的な共同技術開発投資が可能となる。
この「先端コアプログラム」と「選択プログラム」の新たな方式は、「つくばR&Dセンター」、「STARC」の各拠点において全面的に導入する。
- ３．コンソーシアム成果の展開
- 各拠点での先端技術の成果を、先行企業が世界に先駆けて展開する。その先端技術成果の速やかな標準化により、STARCは業界標準テクノロジープラットフォームを、業界標準SoC設計メソドロジー準拠の下に構築する。先行各社はそれら業界標準に準拠するプロセスによるファブを展開することにより、ファブネットワークを形成する。
これにより、先端プロセス技術をもたない半導体メーカやファブレス等の企業でも先端プロセス技術を用いた製品の開発・生産が可能となり、日本が強みとする半導体を使う応用製品分野で、製品化を先行することができる。
- ４．費用と今後の進め方
- 上記の提言に基づく共同活動プロジェクトの費用は、2006年〜2010年で総額1000億円規模となる見込み。半導体幹部会は、プロジェクトの具体的な計画を、2005年３月までに関係機関と協力して立案することを半導体産業研究所に委託する。
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