JEITA

0.7μm以上 0.4μm以上、0.7μm未満	0.2μm未満 0.3μm以上、0.2μm未満	MOS IC計 バイポーラIC計
0.4μm未満 0.3μm以上、0.4μm未満 0.3μm未満	MOS 8インチウェハ MOS 8インチウェハ以外	IC計（MOS＋バイポーラ）

IC生産稼動率（%）

1998年 1999年 2000年 2001年 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q MOS IC生産稼動率（設計ルール毎）                         　0.7μm以上 80.8 79.1 82.9 88.4 91.5 91.8 93.3 94.0 95.3 94.0 80.7 74.1 　0.4μm以上0.7μm未満 72.2 75.0 78.7 84.5 87.7 95.1 95.6 97.0 97.9 92.8 87.6 67.4 　0.4μm未満 88.2 90.2                     　0.3μm以上0.4μm未満     91.1 94.1 91.4 93.7 94.0 95.0 98.4 95.2 85.7 65.8 　0.3μm未満     93.0 93.6 95.5 97.5 97.3 96.2 97.2 92.4     　0.2μm以上0.3μm未満                     87.1 69.7 　0.2μm未満                     80.4 84.0 MOS IC生産稼動率（生産能力計） 81.6 82.9 85.9 89.9 91.5 94.5 95.2 95.5 97.1 93.4 84.2 73.1 MOS 8インチウェハ 86.9 89.0 92.7 92.1 92.4 95.5 97.4 98.3 98.7 96.7 85.8 76.0 MOS 8インチウェハ以外 76.1 76.2 78.2 87.1 90.5 93.1 91.9 91.2 94.2 88.4 81.7 68.6 バイポーラIC生産稼動率（生産能力計） 76.0 74.1 74.4 83.2 86.1 89.2 89.3 90.7 90.0 87.4 80.1 68.3 IC生産稼動率（MOS＋バイポーラ生産能力計） 80.8 81.7 84.5 89.1 90.9 93.9 94.6 95.0 96.4 92.8 83.8 72.7

※斜体は修正値

注）SICASには世界の主要半導体メーカのほとんどが加盟しており、統計データはその加盟メーカの実績に基づく。