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プレスリリース
世界半導体生産キャパシティ統計<2002年第2四半期レポート>
―生産稼動率―

0.7μm以上
0.4μm以上、0.7μm未満
表
0.2μm以上、0.3μm未満
0.2μm未満
表
MOS IC計
バイポーラIC計
表
0.3μm以上、0.4μm未満
0.3μm未満
表
MOS 8インチウェハ
MOS 8インチウェハ以外
表
IC計(MOS+バイポーラ)
表

IC生産稼動率(%)
 1999年2000年2001年2002年
3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q
MOS IC生産稼動率(設計ルール毎)            
 0.7μm以上91.591.893.394.095.394.080.773.366.666.678.288.7
 0.4μm以上0.7μm未満87.795.195.697.097.992.887.667.457.959.270.280.6
 0.3μm以上0.4μm未満91.493.794.095.098.495.285.765.852.755.868.782.2
 0.3μm未満95.597.597.396.297.292.4      
 0.2μm以上0.3μm未満      86.774.056.355.366.278.3
 0.2μm未満      81.083.779.083.590.693.4
MOS IC生産稼動率(生産能力計)91.594.595.295.597.193.484.273.864.066.178.086.8
MOSファンドリウェハ          63.078.3
MOS 8インチウェハ92.495.597.498.398.796.785.875.866.267.480.889.0
MOS 8インチウェハ以外90.593.191.991.294.288.481.870.560.663.772.982.8
バイポーラIC生産稼動率(生産能力計)86.189.289.390.790.087.480.167.765.663.770.482.8
IC生産稼動率(MOS+バイポーラ生産能力計)90.993.994.695.096.492.883.973.264.265.977.386.4
※斜体は修正値

注)SICASには世界の主要半導体メーカのほとんどが加盟しており、統計データはその加盟メーカの実績に基づく。

 
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