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世界半導体生産能力・稼働率の2001年第4四半期（10−12月）の統計数値公表
世界半導体生産キャパシティ統計<2001年第4四半期レポート>
-IC生産稼動率-
0.7μm以上
0.4μm以上、0.7μm未満
0.2μm以上、0.3μm未満
0.2μm未満
MOS IC計
バイポーラIC計
0.3μm以上、0.4μm未満
0.3μm未満
MOS 8インチウェハ
MOS 8インチウェハ以外
IC計（MOS＋バイポーラ）
IC生産稼動率（%）
1999年
2000年
2001年
1Q
2Q
3Q
4Q
1Q
2Q
3Q
4Q
1Q
2Q
3Q
4Q
MOS IC生産稼動率（設計ルール毎）
0.7μm以上
82.9
88.4
91.5
91.8
93.3
94.0
95.3
94.0
80.7
73.3
66.6
66.6
0.4μm以上0.7μm未満
78.7
84.5
87.7
95.1
95.6
97.0
97.9
92.8
87.6
67.4
57.9
59.2
0.3μm以上0.4μm未満
91.1
94.1
91.4
93.7
94.0
95.0
98.4
95.2
85.7
65.8
52.7
55.8
0.3μm未満
93.0
93.6
95.5
97.5
97.3
96.2
97.2
92.4
0.2μm以上0.3μm未満
86.7
74.0
56.3
55.3
0.2μm未満
81.0
83.7
79.0
83.5
MOS IC生産稼動率（生産能力計）
85.9
89.9
91.5
94.5
95.2
95.5
97.1
93.4
84.2
73.8
64.0
66.1
MOS 8インチウェハ
92.7
92.1
92.4
95.5
97.4
98.3
98.7
96.7
85.8
75.8
66.2
67.4
MOS 8インチウェハ以外
78.2
87.1
90.5
93.1
91.9
91.2
94.2
88.4
81.8
70.5
60.6
63.7
バイポーラIC生産稼動率（生産能力計）
74.4
83.2
86.1
89.2
89.3
90.7
90.0
87.4
80.1
67.7
65.6
63.7
IC生産稼動率（MOS＋バイポーラ生産能力計）
84.5
89.1
90.9
93.9
94.6
95.0
96.4
92.8
83.9
73.2
64.2
65.9
※斜体は修正値
注）SICASには世界の主要半導体メーカのほとんどが加盟しており、統計データはその加盟メーカの実績に基づく。