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プレスリリース

世界半導体生産キャパシティ統計<2000年第3四半期レポート>
-IC生産稼動率-

0.7μm以上
MOS IC(0.7μm以上)
0.4μm未満
0.3μm以上、0.4μm未満
0.3μm未満
MOS IC(0.4μm未満)
MOS IC計
バイポーラIC計
MOS IC計バイポーラIC 計
0.4μm以上、0.7μm未満
MOS IC(0.7μm未満)MOS IC(0.4μm以上0.7μm未満)
MOS 8インチウェハ
MOS 8インチウェハ以外
MOS 8インチウェハMOS 8インチウェハ以外
IC計(MOS+バイポーラ)
IC 計(MOS+バイポーラ)

IC生産稼動率(%)
 1997年1998年1999年2000年
4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q
MOS IC生産稼動率(設計ルール毎)            
 0.7μm以上91.690.685.380.879.182.988.491.591.893.394.095.3
 0.4μm以上0.7μm未満92.684.580.672.275.078.784.587.795.195.697.097.9
 0.4μm未満96.594.891.488.290.2       
 0.3μm以上0.4μm未満     91.194.191.493.794.095.098.4
 0.3μm未満     93.093.695.597.597.396.297.2
MOS IC生産稼動率(生産能力計)93.490.286.481.682.985.989.991.594.595.295.597.1
MOS 8インチウェハ 93.088.986.989.092.792.192.495.597.498.398.7
MOS 8インチウェハ以外 87.984.376.176.278.287.190.593.191.991.294.2
バイポーラIC生産稼動率(生産能力計)87.886.184.576.074.174.483.286.189.289.390.790.0
IC生産稼動率(MOS+バイポーラ生産能力計)92.689.686.180.881.784.589.190.993.994.695.096.4

※斜体は修正値

注)SICASには世界の主要半導体メーカのほとんどが加盟しており、統計データはその加盟メーカの実績に基づく。

 
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